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一种发射上变频器组件的设计

   日期:2013-03-23     来源:工控之家网    作者:工控之家    浏览:15    评论:0    
摘 要:介绍了某雷达系统中发射上变频器的设计思想及原理框图,并着重论述了混频器的设计及放大电路部分的几种设计方法。 

关键词:混频器;放大器;单片微波集成电路(MMIC)?? 

1概述 

  本发射上变频器组件是雷达系统中频率合成器的重要组成部分,它的性能的好坏直接影响到整机的指标。发射上变频器组件的主要功能是将1个中频线性调频信号变换到发射信号的频率上,并且放大到合适的功率电平。为了达到这个目的,中频信号需经过2次上变频的过程:第1个上变频器称为中频上变频器,中频信号在这里和频率为800 MHz的本振信号混频得到中心频率为940 MHz的调制信号,然后,它在第2个上变频器(称为发射上变频器)中与1个频率为4?26~4?86 GHz的本振信号混频,最终得到所需的发射信号。? 

2发射上变频器组件的技术指标及要求 

  (1)输入信号 
  ① 中频上变频器本振信号: 
??fLO1=800 MHz,Pin=12 dBm 
  ② 发射上变频器本振信号: 
??fLO2=4.26~4.86 GHz,Pin=12dBm 
  ③ 中频信号:f=140 MHz,Δf=20 MHz调频脉冲,Pin=3 dBm 来源:http://www.tede.cn 
  (2)输出信号 
  ① fout=5.20~5.80 GHz 
  ② Pout≥17 dBm,带内功率起伏≤2.5 dB(包括温度引起的变化) 
  (3)输出信号频谱 
  ① 相噪恶化≤3 dB(输入信号的相位噪声≤-110 dBc/Hz@1 kHz) 
  ② 带内杂散电平≤-60 dBc 
  ③ 带外杂散电平≤-50 dBc 
  (4)输出通路内含高隔离度调制开关,隔离度≥60 dB,加“手动开关”使之处于检测或工作状态。 
  (5)调制开关的控制信号:TTL电平,高电平时,发射通道畅通。输入端设整形电路,对控制信号进行整形。 
  (6)提供输出功率检测口。 
  (7)提供故障检测信号:TTL电平,高电平为正常,低电平为故障。 
  (8)工作温度:-25 °C~+55 °C? 

3混频电路的设计考虑 

  根据混频器的工作原理,2个被混频的输入信号同时加到1个非线性器件上,就可得到所需要的和频或差频,但由于器件的非线性还会产生许多其他不需要的组合频率。混频器的中频产物?fIF=mfLO±nfRF。如果用dB表示,信号强度每变化1dB干扰信号将变化1dB。n×m组合干扰信号强度与需要的n×m=1×1信号强度之比变化(n-1)dB。假如信号从-20dB降到-30dB,那么对于n×m=3×5的组合干扰就会降低30 dB,而对应的比变化为:? 
(3-1)×[-30-(-20)]=-20dB。 

  在此,根据本方案要求,对本振信号低、中、高频率情况下其中频产物分量进行了计算分析,参见表1~表3。 

  通过分析发现,落在频带内(5.20~5.80 GHz)的中频分量均为五阶或六阶组合分量。所以,在设计中我们采用双平衡混频器以及减小射频信号电平、设置高抑制度的带通滤波器来降低杂散,确保满足频谱指标要求。 

4发射上变频器实现框图及说明??????? 

5放大电路的设计考虑 

  由于本上变频组件对杂散电平以及输出功率的起伏都有较高的要求,为了保证低的杂散,方案中采用了降低中频信号电平进行混频的方法,这样使组件的总增益提高(60 dB左右),输出功率的起伏难以控制,尤其是组件在高低温下的功率变化问题变得更加突出,因此,放大电路的设计需要重点考虑。根据目前的器件情况,放大电路可采取以下几种方法。
 
  第一种方法是采用多管级联的方法。如采用Agilent公司的ATF-10136 MESFET管,估计至少要5级才能达到所需要的功率输出。这种方法由于需在每级的输入、输出端都要加入匹配网络,因此电路的设计必须依赖微波电路设计软件来优化电路,同时,电路的调试也比较复杂和困难。 

  第二种方法是前级放大采用单片微波集成电路(MMIC),单片微波集成电路的输入、输出阻抗都已匹配到50 Ω,这样放大电路得以简化。末级采用中功率砷化镓FET放大器,将功率放大到额定值。由于所使用的放大管的u值<0.12,可以进行单向化设计,电路的输入、输出匹配网络采用共轭匹配的方法,输入匹配网络采用并联开路分支线形式,输出匹配网络采用串联微带线结构。通过正确地设计放大器增益,使末级管子和末前级管子处于饱和状态,从而确保组件在高低温工作时功率起伏满足要求。这个方法是解决放大器的功率随温度变化较简便的方法,也是较为常用的方法。 
 
  第三种方法是前级放大仍采用单片微波集成电路(MMIC),末级放大器采用温度补偿电路来补偿各级因温度而引起的功率波动,最终使功率及功率起伏满足要求。该方法实现的难度较大,成本较高。 

  综上所述,采用第二种方法来进行本方案设计较为合理。?

6控制电路的设计考虑 

  根据FET放大器的特性,我们采用双电源供电,并设计有负压保护电路,使正电源受负电源控制,来保护放大器正常工作,不至于因为电源问题而损坏器件。同时为确保收、发组件之间具有高的隔离度,功放管的漏极电压也同时受TTL电平控制。????? 

7结论 

  根据本方案进行发射上变频器设计,各项性能指标均满足要求,已经进入了实际应用阶段。 

  参考文献? 

  1廖承恩.微波技术基础.北京:国防工业出版社,1984? 
  2武国机.微波电子线路.西安:西北工业大学出版社,1994 

 
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